我有4吋晶圓..他是兩個切邊(90度)..我查了一下應該是(100)的方向...

想問一下...因為我以前用的是(111)方向的晶圓...這次是(100)方向..要做乾蝕刻...阻擋層的圖形是圓形陣列...

這兩種不同方向的晶圓蝕刻出來是不是只有蝕刻速度有差呢??(老師突然換了晶圓..哭哭>"<)

不同晶面蝕刻速率不同，但是在濕蝕刻才會有嚴重影響，乾蝕刻應該還好

你是用哪種電漿？ 如果沒有反應性的電漿，那應該不需要太擔心這個問題

忽然想到，如果你的是反應性的話...Si(100)應該可以吃出倒金字塔的坑= =a

因為(111)最蝕刻速率最慢，蝕刻方向沿著<001>的話，最後會殘存(111)面

我用的是RIE蝕刻...氣體SF6...O2..

金字塔的坑不是圖形是方框才會變成金字塔嗎?? 我的圖形是實心圓..

方框倒金字塔是因為蝕刻選擇率造成的，所以跟你pattern無關，你這RIE應該不太會發生這個現象，如果用KOH才會吃出倒金字塔

不過你是做啥東西，忽然換基板....這風險很大耶= =a

阿碰老師是我們的救星

還是想確定一下晶格方向...我們實驗室切邊成90度...我朋友她們的晶圓只有一個大切邊....但是她們盒子上是標示(100)...那這樣我們實驗室的又是哪一種京格阿

切邊規格要直接問廠商，因為以前跟現在切邊的規格有改...6"以下實驗室用的應該更亂一點....最簡單是直接打個xrd就知道了

是真的很亂~~~規格都不太一樣XD